富士電機開發(fā)了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。
特長
實現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時可保證連續(xù)運行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動
富士PIM模塊
為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器內（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。
集成整流橋 IGBT-PIM
EconoPIM? 含整流橋7合1 IGBT模塊-PIM
|
產(chǎn)品型號 |
參數(shù)說明 |
封裝形式 |
|
7MBR25UA120
|
1200V,25A/Tc=25℃,飽合壓降2.1
|
M711
|
|
7MBR35UA120
|
1200V,35A/Tc=25℃,飽合壓降1.95
|
M711
|
|
7MBR35UB120
|
1200V,35A/Tc=25℃,飽合壓降2.0
|
|
|
7MBR50UA120
|
1200V,50A/Tc=25℃,飽合壓降1.90
|
M711
|
|
7MBR50UB120
|
1200V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.0
|
M712
|
|
7MBR75UB120
|
1200V,75A/Tc=25℃,飽合壓降1.80
|
M712
|
|
7MBR100UB120
|
1200V,100A/Tc=25℃,飽合壓降1.90
|
M712
|
*1含整流橋7合1 1200V IGBT模塊-PIM
*2含整流橋7合1 600V IGBT模塊-PIM
|
產(chǎn)品型號 |
參數(shù)說明 |
封裝形式 |
|
7MBR10SA120 |
1200V,100A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
|
7MBR15SA120 |
1200V,10A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
|
7MBR25SA120 |
1200V,25A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
|
7MBR35SB120 |
1200V,35A/Tc=80℃,飽合壓降2.7 |
M712 |
|
7MBR50SB120 |
1200V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.7 |
M712 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
產(chǎn)品型號 |
參數(shù)說明 |
封裝形式 |
|
7MBR30SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M711 |
|
7MBR50SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M711 |
|
7MBR50SB060 |
600V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M712 |
|
7MBR75SB060 |
600V,75A/Tc=80℃,飽合壓降2.55 |
M712 |
|
7MBR100SB060 |
600V,100A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M712 |
