1 、中頻爐逆變 可控硅 水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降——更換水冷套。有時(shí)觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級差的物體，雖然有足夠的水流量流過，但因?yàn)樗傅母綦x是其散熱效果大大降低。其判斷方法是：將功率運(yùn)行在較低于該過流值的功率下約十分鐘，迅速停機(jī)，停機(jī)后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部，若感覺到燙手，則該故障是由此原因引起的。 
   2 、槽路連接導(dǎo)線有接觸**和斷線情況——檢查槽路連接導(dǎo)線，根據(jù)實(shí)際情況酌情處理。當(dāng)槽路連接導(dǎo)線有接觸**或斷線情況時(shí)，功率升到一定值后會(huì)產(chǎn)生打火現(xiàn)象，影響了設(shè)施的正常運(yùn)作，從而導(dǎo)致設(shè)施保護(hù)動(dòng)作。有時(shí)因打火時(shí)會(huì)在 可控硅 兩端產(chǎn)生瞬時(shí)過電壓，要是過壓保護(hù)動(dòng)作來不及，會(huì)燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)過電壓、過電流同時(shí)動(dòng)作。 
   3 、負(fù)載對地絕緣降低——負(fù)載回路的絕緣降低，引起負(fù)載對地間打火，干擾了脈沖的觸發(fā)時(shí)間或在可控硅兩端形成高壓，燒壞可控硅元件。 
   4 、中頻爐 可控硅 在反相關(guān)斷時(shí)，承受反向電壓的瞬時(shí)毛刺電壓過高——在中頻電源的主電路中，瞬時(shí)反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。要是吸收電路中電阻、電容開路均會(huì)使瞬時(shí)反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬秀表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。 
   5 、脈沖觸發(fā)回路故障——在設(shè)施運(yùn)行時(shí)要是突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸**，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置。 
   6 、設(shè)施在運(yùn)行時(shí)負(fù)載開路——當(dāng)設(shè)施正在大功率運(yùn)行時(shí)，要是突然負(fù)載處于開路狀態(tài)，將在輸出端形成高壓   燒壞 可控硅 元件。 
   7 、設(shè)施在運(yùn)行時(shí)負(fù)載短路——當(dāng)設(shè)施在大功率運(yùn)行時(shí)，要是負(fù)載突然處于短路狀態(tài)，將對可控硅有一個(gè)很大的短路電流沖擊，若過電流保護(hù)動(dòng)作不不及保護(hù)，將燒壞可控硅元件。 
   8 、保護(hù)系統(tǒng)故障（保護(hù)失靈）—— 可控硅 能否**，主要是告保護(hù)系統(tǒng)來保證的，要是保護(hù)系統(tǒng)出現(xiàn)故障，設(shè)施稍有一點(diǎn)運(yùn)作不正常，將危機(jī)到可控硅**。所以，當(dāng)可控硅燒壞時(shí)對保護(hù)系統(tǒng)的檢查是必不可少的。 
   9 、可控硅冷卻系統(tǒng)故障——可控硅在運(yùn)作時(shí)發(fā)熱量很大，需要對其冷卻才能保證正常運(yùn)作，一般可控硅的冷卻有兩種方式：一種是水冷，另一種是風(fēng)冷。水冷的應(yīng)用較為廣泛，風(fēng)冷一般只用于 100KW 以下的電源設(shè)施。通常采用水冷方式的中頻設(shè)施均設(shè)有水壓保護(hù)電路，但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù)，若某一路出現(xiàn)水堵，是無法保護(hù)的。 
   10 、電抗器故障——電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù)，也會(huì)在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。另外，要是在維修中更換了電抗器，而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值，會(huì)使電抗器在大電流運(yùn)作時(shí)，因飽和失去限流作用燒壞 可控硅 。