全球功率半導(dǎo)體和管理方案**供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平臺(tái)適用于符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，并采用IR新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供**性能。

　　全新的Gen8組件提供從8A到高達(dá)60A的電流額定值，加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路額定值，能夠減少功耗，有效增加功率密度并帶來**的耐用性。

　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR通過開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及**的IGBT硅平臺(tái)，彰顯其數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)實(shí)現(xiàn)***變頻，從而更有效地使用電能，并且綠化環(huán)境?！?

　　新技術(shù)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更理想的軟關(guān)斷功能，通過盡量降低dv/dt來減少電磁干擾和過壓情況，有助于提升可靠性及耐用性。該平臺(tái)的參數(shù)分布狹窄，在進(jìn)行多個(gè)IGBT并聯(lián)時(shí)便可帶來出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱阻，還可達(dá)到175°C的*高結(jié)溫。

　　潘大偉指出：“IR的Gen8 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供**的技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借**的VCE(ON)、**的耐用性及**的開關(guān)功能，使工業(yè)市場(chǎng)所面臨的難題迎刃而解。”